name: Zhang Zhang (张璋)
gender: Male
nationality: People's Republic of China
birthday: Jan. 31, 1982
birth place: Zhengzhou, Henan (河南省郑州市)
address: Guangzhou University, Waihuanxi Road No.378, Nanjing 510000, China
广州市番禺区广州大学城外环西路378号22号,510006
phone: 13660357067
fax: None
email: zzhang@scnu.edu.cn
website: http://aoe.scnu.edu.cn/a/20121208/44.html

educaition experience:

  • 2007年-2010年:博士研究生教育: 德国马克思普朗克微结构物理所;专业:物理学;自然科学博士学位 (导师: Prof. Ulrich Gosele);
  • 2004年-2007年:硕士研究生教育: 上海,复旦大学信息科学与工程学院;专业: 光学专业(导师:金庆原 教授);
  • 2000年-2004年:大学教育: 广州,中山大学物理学系;专业: 物理专业;工学学士学位 (导师: 赵福利 教授);

job experience:

  • 2011年-现在:华南师范大学华南先进光电子研究院教授,2011年获硕士生导师资格.
  • 2010年9月-2011年10月:德国马克思普朗克微结构物理所博士后;
  • 2009年5月-2009年6月:瑞典伦德大学青年访问学者;
  • 2008年5月-2008年7月:瑞士IBM苏黎世研究所青年访问学者;

research interests:

  • 低维纳米材料、硅基纳米半导体光电器件制备和表征
  • 多铁性低维材料的制备 (磁电耦合效应)
  • 基于硅基纳米结构SERS基底的制备、性质及应用
  • 图形化二硫化钼材料的制备及应用

research projects:

  • 国家重点研发项目“极化调控光电转换”(2016YFA0201002),2016-2021,623万(子课题之一),主要参与人员。
  • 广东省应用型科技研发专项资金项目“新型超高密度磁电随机存储及光存储材料与器件关键技术”(2015B090927006),2015-2018,300万,主要参与人员。
  • 广东省自然科学基金项目“功能铁电及多铁材料纳米阵列结构的制备及相关新颖物性研究”(2016A030308019),2016-2020,100万,主要参与人员。
  • 广州市珠江科技新星项目“可应用于生物传感的新型硅纳米线阵列无栅化场效应晶体管材料的研究”(201506010019),2015-2018,30万,负责人。
  • 广东省自然科学基金项目“可应用于生物传感的新型硅纳米线阵列无栅化场效应晶体管材料的研究”(2014A030313434),2015-2018,10万,负责人。
  • 国家自然科学基金青年科学基金项目“10纳米以下直径硅纳米线有序垂直阵列的模板辅助外延生长研究”(51202072),2013-2015,25万,负责人。
  • 广东省高等学校人才引进项目“可用于下一代高密度半导体电子器件的超细硅纳米线有序外延阵列的研究”,2012-2015,50万,负责人。

professional activities:

  • 一直从事有关低维纳米材料、硅基纳米半导体光电器件制备和表征的相关工作。2007年进入德国马克思普朗克微结构物理所Ulrich Gosele 教授领导的研究小组,从事博士研究生工作。期间有幸参与并完成了欧盟半导体纳米线电子器件项目(NODE),参与设计并搭建了世界上第一套高真空多功能化学气相生长系统(UHV-CVD+CBE)。研究了外延生长硅纳米线阵列的有序化问题,实现了具有锗/硅异质结界面的阵列结构表征,还完成了可控同位素硅纳米线外延和金属辅助刻蚀硅纳米线表征等成果。博士毕业后继续马普协会对外科学合作项目的博士后工作一年。2011年10月,被华南师范大学聘为教授,在华南先进光电子研究院先进材料研究所从事教学科研工作至今。曾获得国家留学基金委颁发的2009年度“国家优秀自费留学生奖学金”和2015年“广州市珠江科技新星”。已发表SCI论文30余篇,已授权国家发明专利1项。

course teaching:

  • Material science frontier lecture (材料科学前沿讲座), for graduates
  • Transmission electron microscopy (透射电子显微镜), for graduates

awards:

  • 2015年4月,获“广州市珠江科技新星”。
  • 2010年5月,获国家优秀自费留学生奖学金。

publications:

  1. Z Zeng, D Tang, L Liu, Y Wang, Q Zhou, S Su, D Hu, B Han, M Jin, X Ao, R Zhan, X Gao, X Lu, G Zhou, S Senz, Z Zhang(张璋)*, J.-M. Liu,” Highly reproducible surface-enhanced Raman scattering substrate for detection of phenolic pollutants”, Nanotechnology, (2016) 455301.
  2. L Liu, Q Zhou, Z Zeng, M Jin, G Zhou, R Zhan, H Chen, X Gao, X Lu, S Senz, Z Zhang (张璋)*, J.-M. Liu, “Induced SERS activity in Ag@SiO2/Ag core-shell nanosphere arrays with tunable interior insulator”, J. Raman Spectrosc, (2016).
  3. M. Kang, X Zhang, L Liu, Q Zhou, M Jin, G Zhou, X Gao, X Lu, Z Zhang (张璋)*, J.-M. Liu, “,High-density ordered Ag@Al2O3 nanobowl arrays in applications of surface-enhanced Raman spectroscopy”, Nanotechnology, 27 (2016) 165304.
  4. X. Zhang, D. Tang, K. Huang, D, Hu, F. Zhang, X. Gao, X. Lu, Z Zhang (张璋)*, J.-M. Liu, “Vertically Free-Standing Ordered Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 Nanocup Arrays by Template-Assisted Ion Beam Etching”, Nanoscale Research Letters, (2016) 11:225.
  5. X. Zhang, M. Kang, K. Huang, F. Zhang, S. Lin, X. Gao, X. Lu, Z. Zhang(张璋)*, J.-M. Liu, “One-Step Mask Etching Strategy Toward Ordered Ferroelectric Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 Nanodot Arrays”, Nanoscale Research Letters, 2015, 10:317.
  6. L. Liu, M. Jin, Q. Zhou, R. Zhan, H. Chen, X. Gao, S. Senz, Z. Zhang(张璋)*, J.-M. Liu, “Bottom-up growth of Ag/a-Si@Ag arrays on silicon as a surface-enhanced Raman scattering substrate with high sensitivity and large-area uniformity”, RSC Advances, 2015, 5, 19229-19235.
  7. K. Huang, Z. Zhang(张璋)*, Q. Zhou, L. Liu, X. Zhang, M. Kang, F. Zhao, X. Lu, X. Gao, J.-M. Liu, “Silver catalyzed gallium phosphide nanowires integrated on silicon and in situ Ag-alloying induced bandgap transition”, Nanotechnology, 2015, 26, 255706(8).
  8. Q. Zhou, L. Liu, X. Gao, L. Chen, S. Senz, Z. Zhang(张璋)*, J.-M. Liu, “Epitaxial growth of vertically free-standing ultra-thin silicon nanowires”, Nanotechnology, 2015, 26, 075707(8).
  9. Q. Zhou, Z. Zhang(张璋)*, S. Senz, F. Zhao, L. Chen, X. Lu, X. Gao, J.-M. Liu, “Control of defects in a novel aluminum-induced heteroepitaxial growth of AlxGal-xP nanocrystals on silicon nanowires”, Scripta Materialia ,2014, 89, 57-60.
  10. Z. Zhang(张璋)*, S. Senz, F. Zhao, L. Chen, X. Gao, J.-M. Liu, “Phase Transition Induced Vertical Alignment of Ultrathin Gallium Phosphide Nanowire Arrays on Silicon by Chemical Beam Epitaxy”, RSC Advances, 2012, 2, 8543-8556.
  11. Z. Zhang(张璋)*, S. Senz, “One-Dimensional Nanostructures: Principles and Applications”, Chapter 1, John Wiley & Son Ins. 2012;
  12. Z. Zhang(张璋), L. Zhang*, S. Senz, M. Knez, “Immobilization of Apofferitin-Templated Seeds for Si Nanowire Growth”, Chem. Vap. Deposition, 2011, 17, 149-154;
  13. Z. Huang*, T. Shimizu, S. Senz, Z. Zhang(张璋), N. Geyer, U. Gosele, “Oxidation rate effect on the direction of metal-assisted chemical and electrochemical etching of silicon”, J. Phys. Chem. C, 2010, 114, 10683-10690.
  14. Z. Zhang(张璋), L. Liu*, T. Shimizu, S. Senz, U. Gosele, “Synthesis of silicon nanotubes with cobalt silicide ends using anodised aluminium oxide template”, Nanotechnology, 2010, 21, 05563(6).
  15. Z. Huang, T. Shimizu, S. Senz, Z. Zhang(张璋), X. Zhang, W. Lee, N. Geyer, U. Gosele*, “Ordered arrays of vertically aligned [110]silicon nanowires by suppressing the crystallographically preferred <100> etching directions”, Nano Letters, 2009, 9, 2519-2525.
  16. O. Moutanabbir*, S. Senz, Z. Zhang(张璋), U. Gosele, “Synthesis of isotopically controlled metal-catalyzed silicon nanowires”, Nano Today, 2009, 4, 393-398.
  17. Z. Zhang(张璋)*, T. Shimizu, L. Chen, S. Senz, U. Gosele, “Bottom-imprint method for VSS growth of epitaxial silicon nanowire arrays with an aluminium catalyst”, Advanced Materials, 2009, 21, 4701-4705.
  18. Z. Zhang(张璋)*, T. Shimizu, S. Senz, U. Gosele, “Ordered high-density Si[100] nanowire arrays epitaxially grown by bottom imprint method”, Advanced Materials, 2009, 21(27), 2824-2828.
  19. T. Shimizu, Z. Zhang(张璋)*, S. Shingubara, S. Senz, U. Gosele, “Vertical epitaxial wire-on-wire growth of Ge/Si on Si(100) substrate”, Nano Letters, 2009, 9(4), 1523-1526.
  20. Z. Zhang(张璋), C. Lai, N. Xu, S. Ren, B. Ma, Z.-Z. Zhang, Q. Jin*, “Novel nanostructured metallic nanorod arrays with multibranched root tails”, Nanotechnology , 2007, 18, 095603(6).

patents:

  • 张璋,曾志强,苏绍强,“一种制备高均匀性表面拉曼增强活性基底的方法”, 中国发明专利申请号:201610657600.4
  • 张璋,曾志强,苏绍强,“一种制备有序银纳米球阵列的方法”, 中国发明专利申请号:2016106558664.6
  • 张璋,亢梦洋,“一种基于离子刻蚀制备表面拉曼增强活性基底的方法”,中国发明专利申请号:201510743028.9
  • 张璋,张晓燕,黄康荣,“一种制备垂直有序铁电纳米杯阵列的方法”,中国发明专利申请号:201510791183.8,申请日:2015年11月18日
  • 张璋,张晓燕,高兴森,“一步模板法制备有序纳米点阵列的方法”,中国发明专利申请号:201510487320.9,申请日:2015年8月11日
  • 张璋,刘利伟,高兴森,“一种Ag-SiO2-Ag 纳米球阵列的制备方法”,中国发明专利授权号:ZL201510053810.8.,申请日:2015年2月2日
  • 张璋,刘利伟,高兴森,“一种基于化学气相沉积制备表面增强活性基底的方法”,中国发明专利授权号:ZL201410321419.7,申请日:2014年7月7日,授权公告日:2016年6月22日