陆旭兵的个人主页

陆旭兵
姓名:   陆旭兵
学位:   博士
职称:   教授
单位:   广州市番禺区广州大学城华南师范大学
通信地址: 华南先进光电子研究院先进材料研究所理五栋512室 510006
电话:   13822180508
电子邮件: luxubing@scnu.edu.cn; luxubingmail@163.com

个人简介:

1974年出生于湖南省,华南师范大学华南先进光电子研究院教授、博士生导师。 1992年9月至1999年6月就读于中南大学,分别获得学士和硕士学位; 1999年9月至2002年6月就读于南京大学,于2002年6月获得博士学位。 自2002年7月开始,分别在北京大学微电子研究院,香港理工大学应用物理系, 日本东京工业大学电子及应用物理系,日本国立材料研究所,德国马普微结构物理所等国内外的大学和研究所以博士后, research associate, JSPS研究员,洪堡研究员等身份从事研究工作。 2010年9月加入华南师范大学,受聘为教授。 在Adv. Mater, Appl. Phys. Lett, J. Appl. Phys, Semicond. Sci. Tech等本领域的相关专业国际期刊上发表了SCI文章40多篇, 至2014.02月止他引超过400次,第一作者单篇最高他引71次。 获得授权美国专利一项,欧洲Wiley –VCH出版社出版英文著作一章。

主要研究领域:

高介电常数材料及其在逻辑晶体管、铁电存储器和电荷俘获存储器件中的应用研究
铁电薄膜的外延生长及电荷输运特性研究
有机薄膜晶体管器件研究
   

研究项目:

1. 国家自然科学基金面上项目:“外延BaTiO3薄膜的导电性能调控及电荷输运机制研究“,项目批准号:51472093,批准金额:83.0万元,执行时间:2015.01-2018.12。
2. 国家自然科学基金面上项目:“基于高K浮栅的有机非易失性存储器件研究”,批准号:61271127,批准金额:88.0万元,执行时间:2013.01-2016.12
3. 国家自然科学基金重点项目:“金属导电性与铁电极化共存的新型功能材料设计与制备“,项目批准号:51431006。项目负责人:刘俊明教授。本人为第二申请人,华南师范大学项目负责人。

获奖:

2006年 日本文部省学术振兴会奖学金(JSPS Research Fellowship)
2008年 日本丸文研究促成奖(Marubun Research Promotion Award)
2009年 德国洪堡基金会奖学金(Humboldt Research Fellowship for Experienced Researchers)

代表性论著:

1. Y. Zhang, Y. Y. Shao, X. B. Lu (陆旭兵), M. Zeng, Z. Zhang, X. S. Gao, X. J. Zhang, J.-M. Liu, and J. Y. Dai, Defect states and charge trapping characteristics of HfO2 films for high performance nonvolatile memory applications, Appl. Phys. Lett. 105, 172902 (2014).
2. X.B.Lu(陆旭兵), T.Minari, C.Liu, A.Kumatani, J.-M. Liu, and K.Tsukagoshi, Temperature dependence of frequency response characteristics in organic field-effect transistors. Appl. Phys. Lett. 100, 183308 (2012).
3. X.B.Lu(陆旭兵), T.Minari, A.Kumatani, C.Liu, and K.Tsukagoshi, Effect of air exposure on metal/organic interface in organic field effect transistors. Appl. Phys. Lett. 98, 243301 (2011).
4. C.Liu, T.Minari, X.B.Lu(陆旭兵), A.Kumatani, K.Takimiya, and K.Tsukagoshi, Solution-Processable Organic Single Crystals with Bandlike Transport in Field-Effect Transistors. Adv. Mater. 23, 523 (2011).
5. X.B.Lu(陆旭兵) and H.Ishiwara, Low-voltage operation and excellent data retention characteristics of metal-ferroelectric-insulator-Si devices based on organic ferroelectric films. J. Appl. Phys. 105, 084101 (2009).
6. X.B.Lu(陆旭兵) and H.Ishiwara, Improved Electrical Properties of Sr0.8Bi2.2Ta2O9 Films by ZrSiO4 Doping for Low Voltage Operations of 1T Metal-Ferroelectric- Insulator-Si Devices. J. Appl. Phys. 105, 061626 (2009).
7. X.B.Lu(陆旭兵), H.Ishiwara, X.Gu, D.Lubyshev, J.Fastenau, and R.Pelzel, Characteristics of Metal- Ferroelectric-Insulator- Semiconductor Diodes Composed of Pt Electrodes and Epitaxial Sr0.8Bi2.2Ta2O9(001)/SrTiO3(100)/ Si(100) Structures, J. Appl. Phys. 105, 024111(2009).
8. X.B.Lu(陆旭兵) and J. Y. Dai, Memory Effects of Carbon Nanotubes as Charge Storage Nodes for Floating Gate Memory Applications. Applied Physics Letters, 88, 113104 (2006).
9. X.B.Lu(陆旭兵), High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology, Chapter 15: High-k Dielectrics in Ferroelectric Gate Field Effect Transistors for Nonvolatile Memory Applications, Weinheim (Germany), ISBN: 978-3-527-33032-4. Wiley- VCH Verlag GmbH & Co. 2012.08: 473-499.
10. J.Y.Dai, X.B.Lu(陆旭兵), P.F.Lee, Process and apparatus for fabricating nano-floating gate memories and memory made thereby, 2009.09, US Patent No. 7585721.